科技日报北京12月22日电（记者张佳欣）反铁磁资料在信息处理与内存芯片技能领域具有广泛应用远景。据最新一期《天然》杂志，美国麻省理工学院科研团队仅运用光就在反铁磁资猜中完成了磁态转化，创造出一种新式且耐久的磁态。这一技能为研究人员供给了操控磁性的强壮东西，有助于规划更快、更小、更节能的内存芯片。

  反铁磁体由自旋方向替换的原子组成，每个原子的自旋方向都与其相邻原子的自旋方向相反。这种上、下、上、下的次序根本抵消了自旋，使反铁磁体总磁化强度为零，然后不受任何磁力影响。

  假如能用反铁磁资料制造成内存芯片，就可将数据“写入”资料的微观区域，即磁畴。在给定磁畴中，自旋方向的某种装备（例如，上—下）代表经典的比特“0”，而另一种装备（下—上）则代表“1”。在这样的芯片上写入数据，能抵挡外部磁场的搅扰。

  因为磁畴的稳定性，反铁磁体可整合到未来的内存芯片中，使这些芯片能耗更少、占用空间更小，一起存储和处理的数据更多。但是，将反铁磁资料应用于存储技能的一个首要妨碍在于，如何故牢靠方法操控反铁磁体，使其从一种磁态转化到另一种磁态。

  此次，团队运用太赫兹激光器直接影响反铁磁资猜中的原子。激光器的振荡频率被调至与资料原子间的天然振荡相匹配，然后改动原子自旋的平衡，使其向一种新的磁态途径。

  所用资料为FePS3——一种在临界温度（约118K）时途径为反铁磁相的资料。他们将组成的FePS3样品置于线K及以下温度。然后，他们让一束近红外光穿过有机晶体，将光转化为太赫兹频率，由此发生太赫兹脉冲。之后，他们将这束太赫兹光对准样品。

  在屡次重复试验中，团队观察到，太赫兹脉冲成功地将本来为反铁磁性的资料切换到了一个新的磁态。这一途径出人意料地耐久，甚至在激光封闭后仍能继续数毫秒。